在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上

在浙江瑞安召開的2023國際新能源智能網聯汽車創新生態大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導體技術(包括Si-IGBT與SiC二極管相結合的技術)已經開始獲得應用,並具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年複合20%以上的快速增長。丁榮軍指出,在電動汽車的應用驅動、性價比權衡、消費慣性等因素影響下,未來十年Si-IGBT仍將是功率半導體器件的主流,並將與碳化硅功率器件長期並存。(上證報)
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