電動車飆速成長掀起第三代半導體缺貨潮，科技大廠爭相投資碳化矽（SiC）產業，以卡位汽車動力系統的主導權。業者指出，台廠第三代半導體基板業者，包括環球晶、漢民及廣運等集團，可望從歐美日主導的供應鏈中突圍，成為國際市場新寵。

根據國際能源總署（IEA）估計，今年新能源車出貨量挑戰1,400萬輛、年增35％，在SiC供不應求壓力下，科技大廠搶料風潮一觸即發。繼意法半導體攜手三安光電合資SiC新廠後，車用晶片巨擘瑞薩因應日本甲府12吋功率半導體新廠將於2025年量產的目標，為確保長期供貨來源，日前與Wolfspeed宣布簽訂20億美元長約供應SiC晶圓，凸顯「得基板者得天下」的競爭態勢，並帶動Wolfspeed上周大漲14.48％。

外電指出，三星電子也跨入第三代半導體，2025年將切入8吋氮化鎵（GaN）功率半導體代工服務。  

目前第三代半導體由歐美日企業主導，惟台灣完整半導體產業鏈則是優勢，也被視為是重要委外製造夥伴，目前台灣四大晶圓廠，皆有投入發展氮化鎵（GaN）。另外也有眾多集團積極投入第三代半導體領域，如漢民（漢磊、嘉晶）、中美晶（環球晶）、廣運（太極、盛新）等，各自於長晶、晶圓代工甚至是長晶爐設備做發揮。此外，虹冠電挾強茂集團資源積極跨足，台亞、聯合再生也喊出新的策略目標。

例如廣運自製碳化矽長晶爐，交由孫公司盛新材料做碳化矽長晶。嘉晶進行化合物半導體之磊晶製作，再交給漢磊做晶圓代工。    

台灣第三代半導體基板廠由環球晶、漢磊及盛新三分天下，製造則由台積電、聯電、世界先進、晶成及積亞等為主，國際IDM廠則為Wolfspeed、英飛凌、意法、ON Semi及ROHM等。

業者指出，第三代半導體包括SiC與GaN等寬能隙材料，較傳統矽材料更能耐高溫、高壓及高頻的特性。GaN元件常用於900V以下領域、SiC則適用於1200V以上電壓，兩者分別在低開關耗損、傳導耗損上具備優勢。SiC、GaN獨特的物理特性，能幫助新能源汽車實現高頻快充、長續航與輕量化的好處，因而成為市場新寵。

另外全球數據資料暴增，造成資料中心需求增加，也帶動需求。根據TrendForce推估，第三代功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48％，成長動能強勁，有利台廠業者發展。