美設備禁令升級 台DRAM廠間接受惠

工商時報

美國商務部升級對中國大陸半導體設備出口禁令，限制25奈米級以上設備的採購與技術支援，衝擊陸廠長鑫存儲的產能擴張，因客戶可能轉向台灣採購成熟製程產品，間接讓台廠如華邦電、南亞科受惠。

據集邦科技報告，美國商務部1月15日禁令的升級主要針對記憶體製程的線寬、密度及矽穿孔（TSV）尺寸進行更嚴格的限制。長鑫存儲目前主力製程在19奈米左右，並正開發17奈米技術，此次禁令直接衝擊其技術升級與產能擴張。

　由於禁令的實施，美系半導體設備商如應用材料（Applied Materials）和科林研發（Lam Research）已於2月中旬撤出長鑫位於北京及合肥廠的工程技術人員。

　長鑫依賴進口高端設備（如EUV與DUV光刻機）來推進製程微縮，禁令切斷了美國及盟友（如日本、荷蘭）設備供應商的支援，包括關鍵的蝕刻、沉積與檢測設備。即便先前已購入設備，缺乏後續維護與零件供應將使運作效率下降，甚至面臨停機風險。

禁令限制技術支援，可能導致長鑫在17奈米以下製程開發上停滯。雖然其現有19奈米產能仍可運作，但無法跟上全球競爭者（如美光、三星）的步伐，長期競爭力將受損。

集邦科技預估，長鑫在2025年月產能擴增至30萬片的目標雖可達成，但2026年後的擴產進程將明顯放緩。此外，長鑫原計畫於2025年第二季以G4製程生產DDR5，並在下半年開始生產伺服器級DDR5，但受禁令影響，這些計畫可能被迫延後。

　在低功耗記憶體（LPDDR）方面，長鑫LPDDR4X良率將受影響，並拖慢其LPDDR5X供給成長。

集邦科技預期，2025年下半年LPDDR4X價格有機會持平，但整體市場供給將受到壓抑。此外，長鑫原計畫以G3製程開發高頻寬記憶體（HBM2E、HBM3），並於2025年底進入量產準備，但禁令升級將使其高頻寬記憶體（HBM）開發進程大幅延後。

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