G2科技戰 台積掃到颱風尾

美國商務部發表對中國最新半導體限制措施,除了現有針對邏輯IC領域的限制外,更延伸至記憶體範疇,限制的廣泛程度,除了中資企業外,外資位於中國境內的生產基地亦需要透過「逐案申請許可」方式方能持續取得製造相關設備,對於台積電、三星、SK海力士等均造成影響。

美對中國半導體產業圍堵力道擴大,重創費半指數逾6%,台積電ADR一度大跌6%以上,台積電將於13日召開法說會,若釋出超過預期的利空,將成台股不可承受之重。

集邦認為,無論中系或美系IC公司,目前高效能運算(HPC)相關晶片,多半委由台積電進行製造,製程主流為7奈米及5奈米,部分為12奈米。未來不論是美系廠無法再出口至中國市場,或中系廠無法進行開案及量產投片,都為台積電的7奈米及5奈米製程未來的訂單狀況,帶來負面影響。

根據集邦調查,此次更新的限制範疇主要在邏輯IC,包括鰭式場效電晶體(FinFET)或環繞閘極電晶體(GAAFET)架構的16/14奈米或更先進製程、DRAM的18奈米或更先進製程、NAND Flash的128層或更高層數產品等三個部分。

集邦指出,儘管中系晶圓廠積極與中國本土、歐系及日系設備商合作,企圖發展非美系產線,並已轉以發展28奈米及以上的製程為主,但該禁令形同完全扼殺中國發展14/16奈米及以下先進製程擴產及發展的可能性,且28奈米及以上的製程擴產亦得經過美國主管機關曠日廢時的審查流程。

集邦指出,美對中國記憶體發展採取較嚴格的限制措施,且該法案亦影響三星西安廠、SK海力士旗下Solidigm大連廠的NAND Flash製程轉進規劃。



工商時報 涂志豪
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