（中央社記者張建中桃園2024年5月29日電）南亞科
（2408）董事長吳嘉昭今天表示，隨著DRAM主要供
應商減產效應逐步浮現，加上生成式AI帶來高頻寬記
憶體（HBM）及DDR5強勁需求，相對降低DDR4及
DDR3產出及庫存水位，預期今年DRAM市場可望穩
健復甦。

台塑集團動態隨機存取記憶體（DRAM）廠南亞科
今天召開股東常會，吳嘉昭說，受地緣政治等因素影
響，DRAM產業連續兩年景氣下滑，南亞科去年營收
新台幣298.9億元，年減47.5%，稅後淨損74.4億元，
每股虧損2.4元。

吳嘉昭表示，去年下半年開始DRAM主要廠商減
產，效應逐漸浮現，加上生成式人工智慧（AI）帶來
HBM及DDR5強勁需求，相對降低DDR4及DDR3產出
及庫存水位。

吳嘉昭說，DRAM是所有電子產品數位化的重要零
件，用途廣泛。在伺服器方面，雲端業者正擴大投資
AI伺服器，其他企業用戶也增加通用型伺服器採購，
整體伺服器出貨可望顯著成長

手機方面，去年下半年新機上市，增強市場復甦，
由於手機導入AI功能使得DRAM搭載量持續增加。電
腦方面，庫存已降至正常水準，隨著軟硬體升級需
求，及AI PC推出，將帶動換機潮，預期DRAM搭載量
也將同步增長。

吳嘉昭表示，電視及機上盒等產品，因為奧運等運
動賽事將加速成長。另外，WiFi 7問世，會增強網通
產品銷售，消費性電子產品也會回到正常成長軌道。

吳嘉昭說，今年DRAM各終端應用市場需求會成
長，主要DRAM供應商會著重在HBM和DDR5產品，
將有助於DDR4供需改善，平均銷售單價也會上揚，
DRAM市場可望穩健復甦。

至於技術發展，吳嘉昭表示，南亞科第2代10奈米
（1B）製程前導產品去年投片試產，預計今年會開始
生產3顆產品，有助於擴大產品線，貢獻營收。

第3代10奈米（1C）製程功能測試晶片正在試產，
先導產品設計同步進行，第1顆產品預計明年初進入
試產。此外，南亞科還開發TSV矽穿孔製程技術，預
計推出高容量DRAM模組，供應伺服器市場。

吳嘉昭指出，今年會有更多產能轉進1B製程技術，
加上新廠營建工程支出，預計今年資本支出約260億
元。