力成:盼循台積電模式在日本布局高階技術

(中央社記者鍾榮峰台北2024年1月10日電)半導體
封測廠力成(6239)董事長蔡篤恭今天表示,今年下
半年起積極擴大資本支出,因應高頻寬記憶體
(HBM)等先進技術封裝需求,力成也期盼依循台積
電赴日本投資模式,考量在日本擴大布局高階技術。

力成今天舉行媒體交流會,因應新技術和產品,蔡
篤恭表示,今年下半年力成啟動積極資本支出規劃,
不排除今年資本支出規模上看新台幣100億元,未來
按照實際計畫需求,不排除挑戰歷年最高資本支出
170億元至180億元。

展望日本布局計畫,蔡篤恭指出,力成期盼依循台
積電在日本設廠模式,在當地布局高階技術。

談到CoWoS先進封裝趨勢,蔡篤恭表示,台積電掌
握CoWoS先進封裝關鍵矽中介層(interposer)材料以
及設計路徑,日月光、矽品、力成和艾克爾
(Amkor)等後段專業封測廠,也可以做CoWoS封
裝,但中介層的精密線寬,只能在晶圓代工廠做,晶
圓廠也需一併整合先進封裝。

蔡篤恭指出,力成布局扇出型基板封裝(fan out on
substrate)技術,整合特殊應用晶片(ASIC)和高頻
寬記憶體HBM先進封裝架構,提供客戶不同於CoWoS
的先進封裝架構。

蔡篤恭透露,力成與華邦電合作,由華邦電生產矽
中介層,力成布局HBM堆疊架構,若客戶需要CoWoS
封裝,華邦電可提供矽中介層材料。

在高頻寬記憶體HBM布局,蔡篤恭預期,HBM記
憶體將在2025年放量,力成已準備就緒,搭上人工智
慧(AI)晶片整合HBM記憶體堆疊的先進封裝需求。
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