工研院與台積電合作 開發低功耗新世代記憶體

(中央社記者張建中新竹2024年1月17日電)工研院
今天宣布,與台積電(2330)合作開發出自旋軌道轉
矩磁性記憶體(SOT-MRAM)陣列晶片,搭配創新的
運算架構,適用於記憶體內運算,功耗僅為自旋轉移
力矩磁性記憶體(STT-MRAM)的1%。

工研院電子與光電系統所所長張世杰表示,工研院
與台積電開發的SOT-MRAM單元,兼具低功耗及10奈
秒高速工作等優點,結合電路設計完成記憶體內運算
技術,進一步提升運算效能,跳脫MRAM過去以記憶
體為主的應用情境。

張世杰說,工研院與台積電合作成果於國際電子元
件會議(IEDM)發表論文,展現次世代記憶體技術
的研發能量,未來這技術可應用於高效能運算、AI人
工智慧及車用晶片等。

工研院致力推動國內半導體市場開啟新興應用,在
「智慧化致能技術」應用領域,研究發展非揮發性記
憶體創新技術,協助國內產業界發展高價值的技術與
產品。
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