聯電聯手英特爾在美開發12奈米製程 估2027投產

(中央社記者張建中台北2024年1月25日電)聯電
(2303)與英特爾(Intel)今天共同宣布,雙方將合
作在英特爾美國亞利桑那州廠開發和製造12奈米製程
平台,因應行動、通訊基礎建設和網路等市場快速成
長需求,合作開發的12奈米製程預計在2027年投入生
產。

聯電表示,與英特爾這項長期合作,是結合英特爾
位於美國的大規模製造產能,和聯電在成熟製程上豐
富的晶圓代工經驗,以擴充製程組合,同時提供更佳
的區域多元且具韌性的供應鏈,協助全球客戶做出更
好的採購決策。

英特爾資深副總裁暨晶圓代工服務(IFS)總經理
潘(Stuart Pann)說,英特爾與聯電策略合作,展現
為全球半導體供應鏈提供技術和製造創新的承諾,也
是實現英特爾在2030年成為全球第2大晶圓代工廠的
重要一步。

聯電共同總經理王石表示,聯電與英特爾在美國合
作製造12奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程,是追
求具成本效益的產能擴張,和技術升級策略的重要一
環。

王石說,這項合作將協助客戶順利升級到12奈米製
程技術,同時受惠擴展位於北美市場產能帶來的供應
鏈韌性。聯電期待與英特爾策略合作,利用雙方互補
優勢,擴大潛在市場,同時大幅加快技術發展時程。

聯電與英特爾合作開發的12奈米製程,將在英特爾
位於美國亞利桑那州Ocotillo Technology Fabrication的
12、22和32廠進行開發和製造,透過運用晶圓廠的現
有設備,大幅降低前期投資,並最佳化利用率。

聯電與英特爾將致力滿足客戶需求,透過生態系合
作夥伴提供的電子設計自動化(EDA)和智慧財產權
(IP)解決方案,合作支援12奈米製程的設計實現,
這12奈米製程預計在2027年投入生產。
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