（中央社記者張建中新竹2024年5月19日電）英特爾
（Intel）搶先導入艾司摩爾（ASML）的高數值孔徑
極紫外光（High-NA EUV）設備，為外界視為是英特
爾重返技術領導地位的關鍵作為。產業專家表示，
High-NA EUV成本居高不下，英特爾搶用High-NA
EUV恐面臨虧損擴大窘境。

台積電年度技術論壇陸續於美國及歐洲舉行，台灣
場技術論壇將於5月23日登場。台積電預計2026年量
產A16技術，將結合奈米片電晶體及超級電軌架構，
為業界關注焦點。

當英特爾搶訂High-NA EUV設備，韓國媒體引述消
息人士報導，ASML今年預計製造5台High-NA EUV設
備，已全數由英特爾包下。台積電決定A16製程將持
續採用既有EUV設備，不打算使用High-NA EUV設
備，受到各界矚目，並引發熱烈討論。

英特爾執行長季辛格（Pat Gelsinger）認為先前反對
使用ASML的EUV設備是錯誤決策，拖累晶圓代工事
業欠缺獲利能力。他指出，在採用EUV設備後，英特
爾在價格、性能方面都很有競爭力。外界關注英特爾
搶先導入High-NA EUV設備，能否有助其重返技術領
先地位。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨說，台積電會決
定A16製程不採用High-NA EUV設備，應是經過綜合
評估的決策。

楊瑞臨表示，台積電應明確知道High-NA EUV設備
帶來的好處，不過，在成本居高不下的情況下，透過
其他方式，以滿足客戶的綜合需求。

據ASML指出，High-NA EUV設備將數值孔徑從0.33
增至0.55，更具高解析度圖像化能力，能夠提高精準
度，成像更清晰，有助簡化製造流程，減少生產時
間，提升生產效率。

台積電業務開發資深副總經理暨副共同營運長張曉
強日前於歐洲技術論壇說，他喜歡High-NA EUV設備
的性能，但不喜歡它的價格，成本非常高。

ASML每套EUV設備價格約1.8億美元，High-NA
EUV設備報價高達3.8億美元，較EUV高出1倍以上，
約新台幣122億元。

楊瑞臨表示，半導體先進封裝重要性日益提高，將
扮演關鍵配套角色，英特爾爭搶High-NA EUV設備，
是「選錯戰場、武器」，因為High-NA EUV設備不是
未來左右輸贏的唯一關鍵。

楊瑞臨說，台積電為全球晶圓代工龍頭，客戶多、
生態系完整，且資金充裕，客戶若有需求且願意支付
更高價格，台積電勢必會採用High-NA EUV設備。

楊瑞臨表示，台積電採用High-NA EUV設備持審慎
態度，應已綜合考量必要性，英特爾若大舉採購High-
NA EUV設備，未來產能利用率值得觀察，預期不排
除可能面臨虧損擴大的窘境。