艾司摩爾:EUV可助節電 100度電生產晶圓省電200度

(中央社記者張建中台北2024年9月6日電)艾司摩爾
的EUV設備為半導體先進製程的關鍵設備,卻有高耗
電疑慮。艾司摩爾強調,EUV技術可簡化製程工序,
有助降低生產晶圓的用電量,估計2029年使用ASML
微影技術生產晶圓每使用100度電,將為整體製程節
省200度電。

艾司摩爾(ASML)今天分享新一代高數值孔徑極
紫外光(High NA EUV)微影技術,表示透過採用新
的光學元件,將數值孔徑從0.33提升至0.55,將提供
更高的成像解析度,讓晶片製造商可以在同樣單位面
積的晶片上實現較現今高出2.9倍的電晶體密度;且成
像對比度較EUV提高40%,可大幅降低成像缺陷。

艾司摩爾High NA EUV產品管理副總裁史托姆斯
(Greet Storms)說,客戶透過導入High NA EUV,將
可減少量產邏輯和記憶體晶片的製造工序,降低製程
缺陷、成本和生產週期。High NA EUV將與EUV在設
計方面有通用性,可降低客戶的導入風險和研發成
本。

艾司摩爾High NA EUV微影系統已於去年底開始陸
續出貨,每小時可曝光超過185片晶圓,將支援2奈米
以下邏輯晶片及具有相似電晶體密度的記憶體晶片量
產。

史托姆斯說,ASML現在所有客戶未來也會是High
NA EUV的客戶,並已下訂單,ASML將與客戶緊密合
作,預計2026年會邁向量產。

針對外界對於能耗的疑慮,艾司摩爾指出,先進製
程晶片製造導入EUV技術可簡化製程工序、減少光罩
數量,達到產能和良率提升,並進而降低生產晶圓的
用電量。

據估計,至2029年在先進製程中導入艾司摩爾EUV
和High NA EUV微影系統,生產晶圓每使用100度電,
將可為整體製程節省200度電。

艾司摩爾強調,不斷致力透過研發創新降低能源消
耗,並透過與客戶密切合作,在提高生產力的同時,
減少製造每片晶圓所產生的能耗。自2018年至2023
年,EUV曝光每片晶圓的能耗減少近40%,預計2025
年再減少能耗約30%至35%。(編輯:張良知)
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