台積電2奈米明年量產 集邦:半導體邁GAAFET競爭

(中央社記者張建中台北2024年11月21日電)台積電
(2330)2奈米製程將於明年量產,是台積電採用第1
代奈米片架構技術,市調機構集邦科技表示,全球3
大半導體廠台積電、英特爾(Intel)和三星
(Samsung)將邁入GAAFET架構的競賽新局面。

集邦科技今天發布新聞稿指出,鰭式場效電晶體
(FinFET)架構自3奈米開始逐漸面臨物理極限,半
導體先進製程技術發展也出現分歧。

台積電和英特爾在3奈米製程延續採用FinFET架
構,三星嘗試自3奈米導入基於環繞閘極電晶體
(GAAFET)的多橋通道場效電晶體(MBCFET)架
構,但至今仍未放量。

集邦科技表示,台積電2025年量產2奈米製程,將
轉進奈米片架構,英特爾18A將導入帶式場效電晶體
(RibbonFET),三星仍致力改善3奈米MBCFET製
程,3家半導體廠正式轉進GAAFET架構競賽。

集邦科技指出,台積電等廠商採用GAAFET架構,
是希望藉由4面接觸有效控制閘極,為客戶提供更高
效能、更低功耗且單位面積電晶體密度更高的晶片。

隨著人工智慧快速發展,驅動客製化晶片及封裝面
積需求升高,連帶推升CoWoS需求,集邦科技預估,
輝達(NVIDIA)明年CoWoS需求將占台積電的60%,
並驅動台積電CoWoS月產能於年底接近倍增到7.5萬至
8萬片規模。

集邦科技表示,輝達Blackwell新平台明年上半將逐
步放量,將帶動CoWoS-L需求量超越CoWoS-S,占比
有望超過60%。雲端服務供應商積極打造特殊應用晶
片,預期AWS等廠商明年對於CoWoS的需求將明顯增
加。

至於高頻寬記憶體發展,集邦科技指出,隨著輝達
B300、GB300採用HBM3e 12hi,預期2025年起12hi將
成為產業主流堆疊層數。
貼心提醒:
1.本公司所提供之即時報價資訊,不代表勸誘投資人進行期貨交易,且不保證此資料之正確性及完整性。
2.實際可交易商品相關資訊請以主管機關公告為限。