鴻海研究院運用AI 加速開發碳化矽功率元件

(中央社記者鍾榮峰台北2024年12月30日電)鴻海
(2317)旗下鴻海研究院今天宣布,利用人工智慧
(AI)加速開發第三代半導體碳化矽(SiC)功率元
件,成果獲國際期刊IEEE OJPEL刊登。

鴻海研究院透過新聞稿指出,半導體研究所攜手人
工智慧研究所以及鴻揚半導體,結合AI學習模型與強
化學習(Reinforcement Learning)技術,加速碳化矽
功率半導體的研發進程,相關研究成果發表在國際期
刊IEEE Open Journal of Power Electronics(OJPEL)。

鴻海研究院說明,相關技術能模擬和調整複雜的製
程參數,縮短元件開發時間並降低研發成本,強化功
率半導體領域碳化矽研發技術。

鴻海研究院舉例,在高壓高功率的碳化矽元件保護
環研究,研究團隊針對保護環的關鍵參數,進行製程
模擬與元件特性模擬,並將結果輸入AI模型,建立保
護環的AI模型。

鴻海研究院指出,相關模型能根據所需的元件特性
進行參數回饋,透過數據分析與預測,進一步提升碳
化矽元件的性能與製程效率,最後透過實際製程進行
驗證。相關研究成果除了可以強化設計外,未來更可
延伸至製程改良和故障診斷,擴大應用範圍。
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