【消息稱三星曾計劃在美國建10nm製程DRAM內存廠】4月1

【消息稱三星曾計劃在美國建10nm製程DRAM內存廠】4月17日訊,據韓媒Alphabiz報道,三星電子曾考慮在美國泰勒建設一座10nm先進製程的DRAM內存廠,相關商討一直持續到了協議簽署前的最後一刻。美國爲該內存廠建設計劃提供了優厚條件,三星也對此十分積極,但由於在美國建設先進內存廠在技術上較爲困難,成本也較高,且韓國政府表達了反對意見,最終三星電子轉而選擇在美建設先進封裝工廠。
貼心提醒:
1.本公司所提供之即時報價資訊,不代表勸誘投資人進行期貨交易,且不保證此資料之正確性及完整性。
2.實際可交易商品相關資訊請以主管機關公告為限。