【珠海:重點發展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半導體襯底

【珠海:重點發展8英寸、12英寸硅片等新一代化合物半導體襯底材料及外延片】1月7日訊,珠海市工業和信息化局公開徵求 《珠海市電子化學品產業發展三年行動方案(2025—2027年)(徵求意見稿)》 意見。其中提到,重點發展8英寸、12英寸硅片,碳化硅、氮化鎵、磷化銦等新一代化合物半導體襯底材料及外延片;前瞻佈局氧化鎵、銻化鎵、銻化銦等第四代半導體材料。同時,重點發展勻膠鉻版光掩模版,KrF、ArF移項光掩模版,前瞻佈局深紫外光(DUV)掩膜版。
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