【美光推出業界首款HBM3Gen2內存:8層24GB能效提升

【美光推出業界首款HBM3Gen2內存:8層24GB能效提升2.5倍】7月27日訊,美光7月26日宣佈推出業界首款8層24GBHBM3Gen2內存芯片,是HBM3的下一代產品,採用1β工藝節點。美光是業界第一個製造出第二代HBM3內存的廠商。這款內存芯片總帶寬超過1.2TB/s,引腳速度超過9.2Gb/s,比HBM3提高50%。此外,HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右,能效大幅提升。美光表示,24GBHBM3Gen2內存已經出樣給客戶。
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