【消息稱三星正在研發3D垂直堆疊GAA晶體管架構】7月27日

【消息稱三星正在研發3D垂直堆疊GAA晶體管架構】7月27日訊,據臺媒援引韓國媒體報道稱,三星設備解決方案部門正在研發3D垂直堆疊GAA(全環繞柵極)晶體管架構,其名爲“3DSFET”。三星去年已量產採用GAA架構的3nm工藝,其爲2D結構,而三星將垂直堆疊3D結構視爲下一代GAA技術,目標儘可能減少芯片單元之間的電磁干擾,並在更小的空間內集成更多晶體管。(臺灣電子時報)
貼心提醒:
1.本公司所提供之即時報價資訊,不代表勸誘投資人進行期貨交易,且不保證此資料之正確性及完整性。
2.實際可交易商品相關資訊請以主管機關公告為限。