【SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品】8月9日

【SK海力士展示全球最高層321層NAND閃存樣品】8月9日訊,SK海力士於當地時間8日,在美國加利福尼亞州聖克拉拉舉辦的“2023閃存峯會”上,公佈了321層1Tb TLC 4D NAND閃存開發的進展,並展示了現階段開發的樣品。作爲業界首家公佈300層以上NAND具體開發進展的公司,SK海力士宣佈,將進一步完善321層NAND閃存,並計劃於2025年上半期開始量產。
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