【消息稱三星電子300+層3D NAND仍採用雙次堆疊】8月

【消息稱三星電子300+層3D NAND仍採用雙次堆疊】8月17日訊,爲鞏固自身NANDFlash龍頭地位,傳三星電子計劃堆疊300+層的3DNAND仍採用雙次堆疊(double-stack)技術,期望通過生產成本優勢超越競爭對手。據韓媒引述業界消息,三星預計2024年量產堆疊300+層、第九代3DNAND,預計將繼續採用雙次堆疊技術。三星從第七代176層3DNAND開始採用雙次堆疊技術。一般來說,雙次堆疊可以降低產品生產難度,但最大問題是會使生產成本增加。(臺灣電子時報)
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