【三星預計2024年初開始量產下一代NAND內存】10月17

【三星預計2024年初開始量產下一代NAND內存】10月17日訊,三星電子內存業務負責人Lee Jung-Bae發表文章稱,三星已生產出基於其第九代V-NAND閃存產品的運行芯片,希望明年初可以實現量產;該公司還正在開發行業內領先的11納米級DRAM芯片。他還表示,對於DRAM,三星正在研發3D堆疊結構和新材料;對於NAND閃存,正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。三星計劃於10月20日在硅谷舉辦“2023三星存儲技術日”。
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