【Rapidus、東京大學與法國半導體研究機構Leti合作開

【Rapidus、東京大學與法國半導體研究機構Leti合作開發1nm製程半導體】11月17日訊,11月16日消息,Rapidus、東京大學將與法國半導體研究機構Leti合作,共同開發電路線寬爲1納米級的新一代半導體設計的基礎技術。雙方的目標是確立設計開發線寬爲1.4納米-1納米的半導體所需要的基礎技術。1納米產品需要不同於傳統的晶體管(元件)結構,Leti在該領域的成膜等關鍵技術上佔優。(界面)
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