【臺積電開發SOT-MRAM陣列芯片 功耗僅類似技術的1%】

【臺積電開發SOT-MRAM陣列芯片 功耗僅類似技術的1%】1月18日訊,臺積電(TSM.N)在次世代MRAM存儲器相關技術傳捷報,攜手工研院開發出自旋軌道轉矩磁性存儲器(SOT-MRAM)陣列芯片,搭配創新的運算架構,功耗僅其他類似技術的1%。臺積電已經成功開發出22納米、16/12納米制程等相關MRAM產品線,並手握存儲器、車用等市場訂單,搶佔MRAM商機。(臺灣經濟日報)
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