【日本開發在磁場下實現電阻開關效應的半導體器件】4月5日訊,

【日本開發在磁場下實現電阻開關效應的半導體器件】4月5日訊,日本一個研究團隊研製出一種半導體納米通道器件,給這種器件施加磁場能使其電阻值發生高達250倍的變化。這種現象未來有望用於開發新型電子元器件等。相關論文已發表在國際學術期刊《先進材料》上。(新華社)
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