【三安半導體芯片二廠M6B設備搬入 預計12月8吋SiC芯片

【三安半導體芯片二廠M6B設備搬入 預計12月8吋SiC芯片投產】7月25日訊,7月24日,三安半導體舉行芯片二廠M6B設備入場儀式,標誌著三安SiC項目二期通線在即。三安SiC項目總投資達160億人民幣,項目達產後,將具備年產36萬片6吋SiC晶圓、48萬片8吋SiC晶圓的製造能力。預計到今年12月,M6B將實現點亮通線,8吋SiC芯片將正式投產。
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