【三星再度回應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在“按計劃”進

【三星再度回應英偉達HBM3E芯片報道:測試正在“按計劃”進行】8月12日訊,三星對有關英偉達測試其高帶寬存儲芯片(HBM)的媒體報道再度做出了回應。 三星的一名發言人通過電子郵件表示:“三星電子正在通過與各客戶的密切合作優化我們的產品,並按計劃進行測試。” 上週有報道稱,英偉達已批準三星的8層HBM3E芯片用於其人工智能處理器。但隨後三星迴應稱,這和事實相距甚遠,“我們不能證實與我們客戶相關的傳聞,但這個報道不是真的”。
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