【中信證券:美國對華先進存儲限制再加碼,倒逼高端存儲產業鏈國

【中信證券:美國對華先進存儲限制再加碼,倒逼高端存儲產業鏈國產加速】1月18日訊,中信證券研報表示,1月15日晚間,BIS修訂了《出口管理條例》(EAR),修改DRAM先進存儲定義,工藝節點仍爲18nm,存儲單元面積及存儲密度由24年12月的1ynm變爲1xnm,同時增加TSV通孔數限制,對HBM和先進DRAM的限制再加碼,倒逼產業鏈國產化加速。本次限制針對製造廠商及供應鏈,設計廠商業務正常開展,我們看好高端定製存儲業務,持續推薦。同時我們認爲,後續在本土高端封測廠商和設備廠商的配合下,國內DRAM原廠有望突破HBM,佈局相關環節的廠商有望核心受益,看好高端存儲產業鏈國產替代。
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