【三星HBM3E基本通過英偉達單芯片認證 成品認證或延遲到下

【三星HBM3E基本通過英偉達單芯片認證 成品認證或延遲到下半年完成】5月26日訊,目前三星12層HBM3E產品,基本通過英偉達的DRAM單芯片認證,現階段正在進行成品認證程序。三星原本預計6~7月完成認證,但因延遲,實際結果或等到2025年下半年出爐。(Deal Site)
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