新型半導體材料的研發進展與應用前景

【中國科學家首創“蒸籠”方法“長出”高性能晶體管新材料】7月18日訊,集成電路是現代信息技術的核心基礎。近年來,隨著硅基芯片性能逐步逼近物理極限,開發新型高性能、低能耗半導體材料,成爲全球科技研發熱點。其中,二維層狀半導體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優良性能,被視爲有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大學、中國人民大學科研人員組成的研究團隊歷經四年攻關,首創一種“蒸籠”新方法,首次在國際上成功實現高質量硒化銦材料的晶圓級集成製造,並研製出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。該成果18日在線發表於《科學》雜誌。(新華社)
貼心提醒:
1.本公司所提供之即時報價資訊,不代表勸誘投資人進行期貨交易,且不保證此資料之正確性及完整性。
2.實際可交易商品相關資訊請以主管機關公告為限。