【東京電子開發新型蝕刻技術 能夠在超400層堆疊3D NAN

【東京電子開發新型蝕刻技術 能夠在超400層堆疊3D NAND中形成通道孔】6月12日訊,近日,東京電子宣佈成功開發出一種創新蝕刻技術,首次將電介質蝕刻應用帶到了低溫範圍,使得刻蝕速率提高,能夠在堆疊超過400層的3D NAND器件中生成通道孔。該創新技術可在短短33分鐘內實現10微米深的高縱橫比蝕刻,與之前的技術相比,可將全球變暖潛能值降低84%。
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