中信建投認為,碳化矽襯底的使用極限效能優於矽襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求,當前碳化矽襯底已應用於射頻器件及功率器件。把SiC器件發展分為三個發展階段:2019-2021年為初期,2022-2023年為拐點期,2024-2026年為爆發期。SiC隨著在新能源汽車、充電基礎設施、5G基站、工業和能源等應用領域展開,需求迎來爆發增長,其中,能源汽車是SIC器件應用增長最快的市場,預計2022-2026年的市場規模從16億美元到46億美元。
中信建投認為,碳化矽襯底的使用極限效能優於矽襯底,可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求,當前碳化矽襯底已應用於射頻器件及功率器件。把SiC器件發展分為三個發展階段:2019-2021年為初期,2022-2023年為拐點期,2024-2026年為爆發期。SiC隨著在新能源汽車、充電基礎設施、5G基站、工業和能源等應用領域展開,需求迎來爆發增長,其中,能源汽車是SIC器件應用增長最快的市場,預計2022-2026年的市場規模從16億美元到46億美元。