（中央社記者韓婷婷台北2022年7月31日電）中國晶
圓代工廠中芯成功量產7奈米晶片，傳出美國擴大對
中國半導體設備出口管制因應。產業專家認為，除了
邏輯晶片，也會影響中國的DRAM和3D NAND Flash，
堪稱「一箭三鵰」，這將使中國半導體中長期發展面
臨重重阻礙。

美國先前限縮中國取得半導體先進製程設備，但即
使缺少荷蘭艾司摩爾（ASML）的極紫外光（EUV）
設備，中芯仍傳出在先進製程技術發展上獲重大突
破，已量產出貨7奈米晶片1年多時間，震撼各界。

光刻機是半導體生產的重要設備，EUV光刻機是推
進先進製程的關鍵；深紫外光（DUV）則用於成熟製
程。

台經院產經資料庫研究員暨總監劉佩真研判，中芯
極有可能利用深紫外光（DUV）設備，加上多層光
罩，達到7奈米生產。

劉佩真說，中芯目前7奈米量產產能規模可能還
小，良率比較不穩定，且成本非常高昂，7奈米性價
比相對不高，並可能受到來自美方管制措施，影響客
戶下單意願，實際效應有限。

國外媒體報導，美國擴大對中國半導體設備的管
制，兩大半導體設備供應商科林研發（Lam
Research）、科磊（KLA）透露，最近收到華府通
知，未取得許可證的美企，禁止出售14奈米以下半導
體設備給中芯等陸企，就連台積電在大陸的晶圓代工
廠也可能被列入禁售。台積電對此並沒有評論。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨表示，美國先前
已禁止10奈米以下的先進半導體設備出口中國，這次
進一步擴大管制範疇至14奈米以下製程，且包括台積
電等外商在中國設立的半導體廠也都被納入管制。

楊瑞臨指出，微影、蝕刻及量測檢測是半導體最重
要的3道製程，其中，微影的EUV設備市場由荷蘭艾
司摩爾（ASML）獨占，科林研發為蝕刻設備龍頭，
市占率逾5成，科磊為檢測設備龍頭，市占率也超過5
成。

楊瑞臨說，觀察美國對中國採取的新管制措施，美
國應經過深入研究，對中國半導體的管制相當到位，
除了邏輯晶片外，對於中國的動態隨機存取記憶體
（DRAM）和3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）也
都會有影響，是「一箭三鵰」的做法，中國半導體產
業中長期發展恐面臨重重阻礙。

他表示，韓國記憶體廠三星（Samsung）和SK海力
士（Hynix）都在中國大陸設廠，可能因而受到波
及，未來中國廠擴產可能遭受影響。

至於台積電方面，楊瑞臨說，台積電南京廠未來擴
產是否會受到影響有待觀察，不過，台積電生產重鎮
在台灣，台灣廠在生產效率與成本等方面最具競爭
力，預期台積電所受影響應有限。

國泰台灣5G+ ETF基金經理人蘇鼎宇也認為，對台
積電影響有限，但會增加中芯發展的難度，半導體設
備製造商也可能受到影響。至於美國正視中芯可能是
複製台積電技術這件事，對台積電發展可以正向看
待，短期在禁售趨嚴下成熟製程業務可能增加因應調
整的成本，長線對於台積電高階製程競爭力則更有保
障。