【三星HBM3E芯片部分版本未通過英偉達審覈】8月7日訊,三

【三星HBM3E芯片部分版本未通過英偉達審覈】8月7日訊,三星電子和英偉達尚未就8層HBM3E存儲芯片簽署供應協議,但很快就會簽署,預計第四季度開始供應,不過12層版本的HBM3E存儲芯片尚未通過英偉達的測試。此前有消息稱,三星的HBM3芯片將首次被用於英偉達的圖形處理單元H20,這是針對中國市場開發的複雜程度較低的處理器,基於美國的出口管制規則而設計。(一財)
貼心提醒:
1.本公司所提供之即時報價資訊,不代表勸誘投資人進行期貨交易,且不保證此資料之正確性及完整性。
2.實際可交易商品相關資訊請以主管機關公告為限。